casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VFT1045BP-M3/4W
codice articolo del costruttore | VFT1045BP-M3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-VFT1045BP-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VFT1045BP-M3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 680mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 45V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | 200°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VFT1045BP-M3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VFT1045BP-M3/4W-FT |
SD101AWS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148WS-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148WS-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4151WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel