casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VF60120C-M3/4W
codice articolo del costruttore | VF60120C-M3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-VF60120C-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VF60120C-M3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 30A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 120V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VF60120C-M3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VF60120C-M3/4W-FT |
BAV23C-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV23C-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV70-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV70-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV70-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV99-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV99-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV99-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV99-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV99-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
A3P600L-FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB9R2H43C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC4044XL-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC7A200T-2SBG484I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-6LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB1D4F31C5N
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
EPF10K200SRC240-1N
Intel