casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VF40100G-M3/4W
codice articolo del costruttore | VF40100G-M3/4W |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VF40100G-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VF40100G-M3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 810mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VF40100G-M3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VF40100G-M3/4W-FT |
BAT54S-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54S-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54S-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV23C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV23C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV23C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV23C-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV23C-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV70-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV70-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
EX128-FTQ64
Microsemi Corporation
EP1K10TC144-2
Intel
XC3S200-4FT256I
Xilinx Inc.
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
5SGXEABN2F45C2N
Intel
XC4010E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F31C5N
Intel
EPF10K50SQC208-3N
Intel