casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VF30100C-M3/4W
codice articolo del costruttore | VF30100C-M3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-VF30100C-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VF30100C-M3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VF30100C-M3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VF30100C-M3/4W-FT |
BAT54C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54C-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54C-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54S-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54S-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54S-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54S-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54S-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV23C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
ICE40UP5K-SG48ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-3TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-PQ100C
Microsemi Corporation
XC3S400AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
AGLN010V5-UCG36
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27C7
Intel
10M25DCF256C7G
Intel
5SGSMD8K3F40I3N
Intel
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation