casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VBT2080C-E3/8W
codice articolo del costruttore | VBT2080C-E3/8W |
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Numero di parte futuro | FT-VBT2080C-E3/8W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VBT2080C-E3/8W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 810mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 600µA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBT2080C-E3/8W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VBT2080C-E3/8W-FT |
SBLB25L30CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
SBLB25L30CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10100CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10100CT-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10100CT-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB10100CT-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1090CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1090CT-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20100CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20100CT-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel