casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VBO68-12NO7
codice articolo del costruttore | VBO68-12NO7 |
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Numero di parte futuro | FT-VBO68-12NO7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VBO68-12NO7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 68A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.14V @ 30A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 1200V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ECO-PAC1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | ECO-PAC1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBO68-12NO7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VBO68-12NO7-FT |
MB6M-G
Comchip Technology
GBJ10005-F
Diodes Incorporated
UG6KB60TB
SMC Diode Solutions
BR108
GeneSiC Semiconductor
GBU8005
Diodes Incorporated
BR1001SG-G
Comchip Technology
BR1004SG-G
Comchip Technology
GBPC2510TA
SMC Diode Solutions
GBPC2510WTA
SMC Diode Solutions
GBPC3506TA
SMC Diode Solutions
XC4010XL-3TQ144I
Xilinx Inc.
XCV200E-8FG456C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA484C
Xilinx Inc.
M1AFS600-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4
Intel
5SGXEA3K3F40C3N
Intel
LFXP3C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB7G6F35C6N
Intel
EP3SL70F780I3
Intel