casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VBO68-08NO7
codice articolo del costruttore | VBO68-08NO7 |
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Numero di parte futuro | FT-VBO68-08NO7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VBO68-08NO7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 68A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.14V @ 30A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ECO-PAC1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | ECO-PAC1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBO68-08NO7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VBO68-08NO7-FT |
CBR1-D100S
Central Semiconductor Corp
MB6M-G
Comchip Technology
GBJ10005-F
Diodes Incorporated
UG6KB60TB
SMC Diode Solutions
BR108
GeneSiC Semiconductor
GBU8005
Diodes Incorporated
BR1001SG-G
Comchip Technology
BR1004SG-G
Comchip Technology
GBPC2510TA
SMC Diode Solutions
GBPC2510WTA
SMC Diode Solutions
XC6SLX9-N3FT256I
Xilinx Inc.
XCV400-6FG676C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25U256I7N
Intel
5SGXMBBR2H43C2N
Intel
LFE3-70E-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel