casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VBO30-08NO7
codice articolo del costruttore | VBO30-08NO7 |
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Numero di parte futuro | FT-VBO30-08NO7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VBO30-08NO7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 15A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | PWS-A |
Pacchetto dispositivo fornitore | PWS-A |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBO30-08NO7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VBO30-08NO7-FT |
CDBHM140L-G
Comchip Technology
MSB30KH-13
Diodes Incorporated
GBJA1010-BP
Micro Commercial Co
GBJA1510-BP
Micro Commercial Co
KBJ1010G-BP
Micro Commercial Co
UG2KB60TB
SMC Diode Solutions
UG2KB100TB
SMC Diode Solutions
UG3KB100GTB
SMC Diode Solutions
UG4KB100TB
SMC Diode Solutions
BR102-BP
Micro Commercial Co
EPF10K50ETC144-2
Intel
XC3S2000-4FG456I
Xilinx Inc.
A3P125-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFI484-2
Intel
XC7K410T-1FF900C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-4FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S3F45E2LG
Intel
EP20K1000EBC652-1X
Intel