casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VBO105-14NO7
codice articolo del costruttore | VBO105-14NO7 |
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Numero di parte futuro | FT-VBO105-14NO7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VBO105-14NO7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.4kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 107A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 150A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 1400V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | PWS-C |
Pacchetto dispositivo fornitore | PWS-C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBO105-14NO7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VBO105-14NO7-FT |
M3P100A-60
GeneSiC Semiconductor
M3P100A-80
GeneSiC Semiconductor
M5060SB1400
Sensata-Crydom
M5060TB400
Sensata-Crydom
M5060TB800
Sensata-Crydom
MB05M-BP
Micro Commercial Co
MB05M-G
Comchip Technology
MB10M-G
Comchip Technology
MB110M-BP
Micro Commercial Co
MB12M-BP
Micro Commercial Co
A1010B-2PQG100C
Microsemi Corporation
XC6SLX100-L1CSG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M2GL005S-VFG256
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
5SEEBH40I2N
Intel
XC7V2000T-2FHG1761C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RI240-4N
Intel