casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / VBO105-14NO7
codice articolo del costruttore | VBO105-14NO7 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VBO105-14NO7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VBO105-14NO7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.4kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 107A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 150A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 1400V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | PWS-C |
Pacchetto dispositivo fornitore | PWS-C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VBO105-14NO7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VBO105-14NO7-FT |
M3P100A-60
GeneSiC Semiconductor
M3P100A-80
GeneSiC Semiconductor
M5060SB1400
Sensata-Crydom
M5060TB400
Sensata-Crydom
M5060TB800
Sensata-Crydom
MB05M-BP
Micro Commercial Co
MB05M-G
Comchip Technology
MB10M-G
Comchip Technology
MB110M-BP
Micro Commercial Co
MB12M-BP
Micro Commercial Co
LCMXO3LF-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4N
Intel
5SGXMA5N1F40C1N
Intel
5SGXMBBR3H43I3N
Intel
5SGXEA7H2F35C2LN
Intel
XC7V585T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
5SGXMA3H3F35C4N
Intel
EP2A40F1020I8
Intel