casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / VB40100C-M3/4W
codice articolo del costruttore | VB40100C-M3/4W |
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Numero di parte futuro | FT-VB40100C-M3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
VB40100C-M3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 730mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VB40100C-M3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VB40100C-M3/4W-FT |
BYVB32-200-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA30TA60CS-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYVB32-100-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1545CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB20100CT-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB2045CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H100CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20150C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20200G-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
5SGSMD6N3F45C2N
Intel
5SGXEA5H1F35C1N
Intel
A54SX08A-1TQ100
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C4
Intel
5CGXBC3B6U15C7N
Intel
EPF10K30RI208-4
Intel
EP20K160EQC208-1X
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel