casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V8PM10SHM3/H
codice articolo del costruttore | V8PM10SHM3/H |
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Numero di parte futuro | FT-V8PM10SHM3/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V8PM10SHM3/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 780mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 860pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V8PM10SHM3/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V8PM10SHM3/H-FT |
SD101AWS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101AWS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101BWS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101BWS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101BWS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101BWS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101BWS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101BWS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101CWS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101CWS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel