casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V8PA10HM3/I
codice articolo del costruttore | V8PA10HM3/I |
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Numero di parte futuro | FT-V8PA10HM3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V8PA10HM3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 760mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 800µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 850pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-221BC (SMPA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V8PA10HM3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V8PA10HM3/I-FT |
UF3001-HF
Comchip Technology
UF3002-G
Comchip Technology
UF3002-HF
Comchip Technology
UF3003-G
Comchip Technology
UF3003-HF
Comchip Technology
UF3004-G
Comchip Technology
UF3004-HF
Comchip Technology
UF3005-G
Comchip Technology
UF3005-HF
Comchip Technology
UF3006-G
Comchip Technology
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
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5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel