casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V8P12-M3/87A
codice articolo del costruttore | V8P12-M3/87A |
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Numero di parte futuro | FT-V8P12-M3/87A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
V8P12-M3/87A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 120V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V8P12-M3/87A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V8P12-M3/87A-FT |
SS8PH10HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS8PH9HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS8PH9HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P10HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P10HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P12-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P12-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P12HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P15-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P15-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF8820ATC144-3
Intel
XC2V6000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AT40K20-2EQC
Microchip Technology
XC7A75T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40E2LG
Intel
EP3SL150F780I4
Intel
EP1C4F324I7N
Intel