casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V8P12-M3/87A
codice articolo del costruttore | V8P12-M3/87A |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-V8P12-M3/87A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
V8P12-M3/87A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 120V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V8P12-M3/87A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V8P12-M3/87A-FT |
SS8PH10HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS8PH9HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS8PH9HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P10HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P10HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P12-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P12-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P12HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P15-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P15-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-6E-5T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
LFE5U-85F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M50DAF484I7G
Intel
EP4SGX290KF43C4
Intel
5SGXMA4H1F35C2LN
Intel
5SGXMA4H3F35C3N
Intel
XC3190A-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324I
Xilinx Inc.
AGLP060V5-CSG289
Microsemi Corporation