casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / V8KM60DUHM3/H
codice articolo del costruttore | V8KM60DUHM3/H |
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Numero di parte futuro | FT-V8KM60DUHM3/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
V8KM60DUHM3/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 640mV @ 4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300µA @ 60V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | FlatPAK 5x6 (Dual) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V8KM60DUHM3/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V8KM60DUHM3/H-FT |
VFT2060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2060G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2060G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2080C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2080C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT3045CBP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT3060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT3060G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT3060G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT3080C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-FVQG80
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016C3U19E2LG
Intel
EP3SL340F1760C4N
Intel
XC2VP20-5FF1152C
Xilinx Inc.
XC2V2000-4FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX24-PLG84
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I5N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel