casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / V40PWM10CHM3/I
codice articolo del costruttore | V40PWM10CHM3/I |
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Numero di parte futuro | FT-V40PWM10CHM3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V40PWM10CHM3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 890mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 400µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SlimDPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V40PWM10CHM3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V40PWM10CHM3/I-FT |
BAS7006WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT5404WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT5405WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT5406WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT6406WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS 125-06W E6327
Infineon Technologies
BAS12504WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS12505WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS4005WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BAS4006WE6327HTSA1
Infineon Technologies
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel