casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / V40PWM10C-M3/I
codice articolo del costruttore | V40PWM10C-M3/I |
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Numero di parte futuro | FT-V40PWM10C-M3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V40PWM10C-M3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 890mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 400µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SlimDPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V40PWM10C-M3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V40PWM10C-M3/I-FT |
VS-8CWH02FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8CWH02FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURD620CTHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURD620CTTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURD620CTTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURD620CTTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURD620CTTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURD620CTTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURD620CTTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
12CWQ15FNTR
SMC Diode Solutions
EX128-FTQ64
Microsemi Corporation
EP1K10TC144-2
Intel
XC3S200-4FT256I
Xilinx Inc.
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
5SGXEABN2F45C2N
Intel
XC4010E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F31C5N
Intel
EPF10K50SQC208-3N
Intel