casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / V40PW60C-M3/I
codice articolo del costruttore | V40PW60C-M3/I |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-V40PW60C-M3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V40PW60C-M3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 680mV @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2.4mA @ 60V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SlimDPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V40PW60C-M3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V40PW60C-M3/I-FT |
VS-8CWH02FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8CWH02FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8CWH02FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8CWH02FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURD620CTHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURD620CTTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURD620CTTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURD620CTTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURD620CTTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURD620CTTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel