casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V3P6HM3_A/I
codice articolo del costruttore | V3P6HM3_A/I |
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Numero di parte futuro | FT-V3P6HM3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V3P6HM3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 630mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 900µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | 250pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-220AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-220AA (SMP) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V3P6HM3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V3P6HM3_A/I-FT |
RS1PB-M3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1PB-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1PBHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1PBHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1PD-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1PDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1PDHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1PG-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1PGHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1PGHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL090-1FCSG325
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
XC7VX330T-2FFV1761C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation