casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V35PW12-M3/I
codice articolo del costruttore | V35PW12-M3/I |
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Numero di parte futuro | FT-V35PW12-M3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V35PW12-M3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 35A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 120V |
Capacità @ Vr, F | 2350pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SlimDPAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V35PW12-M3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V35PW12-M3/I-FT |
VS-10WQ045FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10WQ045FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10WQ045FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10WQ045FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ03FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ03FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ03FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ03FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ04FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ04FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQ80M
Microsemi Corporation
XC4010XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A40MX04-3PL68
Microsemi Corporation
APA600-FG676
Microsemi Corporation
A40MX02-1PQ100
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3LG
Intel