casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V35PW10-M3/I
codice articolo del costruttore | V35PW10-M3/I |
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Numero di parte futuro | FT-V35PW10-M3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V35PW10-M3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 35A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 2500pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SlimDPAK |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V35PW10-M3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V35PW10-M3/I-FT |
VS-10WQ045FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10WQ045FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10WQ045FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10WQ045FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10WQ045FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10WQ045FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ03FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ03FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ03FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30WQ03FNTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-2000HE-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-2FG900I
Xilinx Inc.
XCKU040-1FFVA1156I
Xilinx Inc.
ICE65L01F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6010ATC100-1
Intel
EPF10K200EFC672-2
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4044XL-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC7K420T-2FFG901C
Xilinx Inc.