casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / V30DM100C-M3/I
codice articolo del costruttore | V30DM100C-M3/I |
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Numero di parte futuro | FT-V30DM100C-M3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eSMP®, TMBS® |
V30DM100C-M3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 810mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 400µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AC (SMPD) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V30DM100C-M3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V30DM100C-M3/I-FT |
VS-42CTQ030PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-43CTQ080GPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-43CTQ100-011PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-43CTQ100-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-43CTQ100GPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-43CTQ100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-43CTT100
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-47CTQ020-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-48CTQ060-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-48CTQ060PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT40K05-2BQI
Microchip Technology
LFEC6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEB9R2H43I2L
Intel
XC7A200T-1FBG484C
Xilinx Inc.
XC7VX330T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
LFXP10E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29C6
Intel
EP2SGX90FF1508C3
Intel
EP1C20F400C8N
Intel