casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V2P6HM3/H
codice articolo del costruttore | V2P6HM3/H |
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Numero di parte futuro | FT-V2P6HM3/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP® |
V2P6HM3/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 630mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | 195pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AD |
Pacchetto dispositivo fornitore | MicroSMP (DO-219AD) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V2P6HM3/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V2P6HM3/H-FT |
SS8P2LHM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS8P2LHM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS8P3L-E3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS8P3L-E3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS8P3LHM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS8P3LHM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS8PH10-E3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS8PH10-E3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS8PH10HM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS8PH10HM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV1600E-7FG900C
Xilinx Inc.
A54SX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C6N
Intel
XC6VHX380T-2FFG1923I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFEC10E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EP20K200EQC240-2X
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel