casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V2FM12-M3/H
codice articolo del costruttore | V2FM12-M3/H |
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Numero di parte futuro | FT-V2FM12-M3/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eSMP®, TMBS® |
V2FM12-M3/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 960mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 65µA @ 120V |
Capacità @ Vr, F | 130pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V2FM12-M3/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V2FM12-M3/H-FT |
SE10DBHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE10DJ-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DL45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DL45BP-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20DL45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DL45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16EDU06HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DM120-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DM120HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V35DM120-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX100-2CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FTG256I
Xilinx Inc.
EP3C5F256C8
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
EP4CGX22BF14C6N
Intel
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
A40MX02-PQ100A
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F27E3SG
Intel