casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V25PL60-M3/86A
codice articolo del costruttore | V25PL60-M3/86A |
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Numero di parte futuro | FT-V25PL60-M3/86A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eSMP®, TMBS® |
V25PL60-M3/86A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 630mV @ 25A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 4mA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V25PL60-M3/86A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V25PL60-M3/86A-FT |
SD101AWS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101AWS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101AWS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101BWS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101BWS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101BWS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101BWS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101BWS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101BWS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101CWS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel