casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / V20DM60CHM3/I
codice articolo del costruttore | V20DM60CHM3/I |
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Numero di parte futuro | FT-V20DM60CHM3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V20DM60CHM3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 660mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 600µA @ 60V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AC (SMPD) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V20DM60CHM3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V20DM60CHM3/I-FT |
VS-42CTQ030-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-42CTQ030PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-43CTQ080GPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-43CTQ100-011PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-43CTQ100-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-43CTQ100GPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-43CTQ100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-43CTT100
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-47CTQ020-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-48CTQ060-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
A3P600L-FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB9R2H43C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC4044XL-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC7A200T-2SBG484I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-6LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB1D4F31C5N
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
EPF10K200SRC240-1N
Intel