casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / V20DM120-M3/I
codice articolo del costruttore | V20DM120-M3/I |
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Numero di parte futuro | FT-V20DM120-M3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V20DM120-M3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 930mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 600µA @ 120V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AC (SMPD) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V20DM120-M3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V20DM120-M3/I-FT |
VS-MBR20100CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2035CT-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2035CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2045CT-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2045CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2080CT-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2080CTKPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2080CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2090CT-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2090CTKPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-12E-5T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD1800A-4CS484C
Xilinx Inc.
EP3SE50F484I4
Intel
10M08DCV81C8G
Intel
5SGXMB6R1F43C2LN
Intel
5SGXMA5K3F35I3LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157C
Xilinx Inc.
A42MX16-3PL84
Microsemi Corporation
A40MX04-1PQ100
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation