casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / V20DM100C-M3/I
codice articolo del costruttore | V20DM100C-M3/I |
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Numero di parte futuro | FT-V20DM100C-M3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eSMP®, TMBS® |
V20DM100C-M3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 820mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AC (SMPD) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V20DM100C-M3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V20DM100C-M3/I-FT |
VS-MBR20100CTKPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR20100CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2035CT-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2035CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2045CT-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2045CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2080CT-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2080CTKPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2080CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR2090CT-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PN125-ZVQG100
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4H2F35C2N
Intel
XC7VX550T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-FTQ176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35C4N
Intel
EPF6016BI256-3
Intel