casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / V20100R-E3/4W
codice articolo del costruttore | V20100R-E3/4W |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-V20100R-E3/4W |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS® |
V20100R-E3/4W Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V20100R-E3/4W Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V20100R-E3/4W-FT |
HFA32PA120C
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA50PA60C
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR3035WT
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR40L15CW
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CPQ035PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CPQ040PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CPQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CPQ050PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CPQ080GPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CPQ080PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
5SGSMD6N3F45C2N
Intel
5SGXEA5H1F35C1N
Intel
A54SX08A-1TQ100
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C4
Intel
5CGXBC3B6U15C7N
Intel
EPF10K30RI208-4
Intel
EP20K160EQC208-1X
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel