casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V15P12-M3/I
codice articolo del costruttore | V15P12-M3/I |
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Numero di parte futuro | FT-V15P12-M3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eSMP®, TMBS® |
V15P12-M3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente: media rettificata (Io) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 810mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 120V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V15P12-M3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V15P12-M3/I-FT |
SS15P3S-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS15P3S-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3P3L-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3P3L-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3P3LHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3P3LHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3P4L-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3P4LHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3P5L-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3P5LHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel