casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V12PM12-M3/87A
codice articolo del costruttore | V12PM12-M3/87A |
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Numero di parte futuro | FT-V12PM12-M3/87A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
V12PM12-M3/87A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Corrente: media rettificata (Io) | 12A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 12A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 120V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V12PM12-M3/87A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V12PM12-M3/87A-FT |
SS12P2LHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P2LHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P3L-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P3L-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P3LHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P3LHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P4S-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P4S-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS15P3S-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS15P3S-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel