casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V10P8HM3_A/I
codice articolo del costruttore | V10P8HM3_A/I |
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Numero di parte futuro | FT-V10P8HM3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V10P8HM3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 680mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 800µA @ 80V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V10P8HM3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V10P8HM3_A/I-FT |
S4PG-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PG-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PGHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PJ-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PK-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PKHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PKHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PM-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PMHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX250-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
LFE2-12SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBI356-4
Intel
EPF6016QC208-2N
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel