casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V10P8-M3/86A
codice articolo del costruttore | V10P8-M3/86A |
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Numero di parte futuro | FT-V10P8-M3/86A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V10P8-M3/86A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3.9A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 680mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 800µA @ 80V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V10P8-M3/86A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V10P8-M3/86A-FT |
S4PD-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PDHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PG-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PG-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PGHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PJ-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PK-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PKHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel