casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V10P8-M3/86A
codice articolo del costruttore | V10P8-M3/86A |
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Numero di parte futuro | FT-V10P8-M3/86A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V10P8-M3/86A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3.9A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 680mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 800µA @ 80V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V10P8-M3/86A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V10P8-M3/86A-FT |
S4PD-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PDHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PG-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PG-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PGHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PJ-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PK-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PKHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel