casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V10P6HM3_A/I
codice articolo del costruttore | V10P6HM3_A/I |
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Numero di parte futuro | FT-V10P6HM3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® |
V10P6HM3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 590mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1.9mA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V10P6HM3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V10P6HM3_A/I-FT |
S4PD-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PD-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PDHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PG-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PG-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PGHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PJ-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PJHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S4PK-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
Intel
EP4CE6E22C8
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX115R3F40I2SG
Intel