casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V10P45S-M3/86A
codice articolo del costruttore | V10P45S-M3/86A |
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Numero di parte futuro | FT-V10P45S-M3/86A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eSMP®, TMBS® |
V10P45S-M3/86A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4.4A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 570mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 800µA @ 45V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V10P45S-M3/86A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V10P45S-M3/86A-FT |
GSD2004WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101AWS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101AWS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101AWS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101AWS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101AWS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101BWS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101BWS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101BWS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation