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codice articolo del costruttore | USR1E100MDD1TP |
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Numero di parte futuro | FT-USR1E100MDD1TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | USR |
USR1E100MDD1TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Capacità | 10µF |
Tolleranza | ±20% |
Tensione: nominale | 25V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Polarizzazione | Polar |
Giudizi | - |
applicazioni | General Purpose |
Corrente di ondulazione @ Bassa frequenza | 28mA @ 120Hz |
Corrente di ondulazione @ alta frequenza | 42mA @ 10kHz |
Impedenza | - |
Lead Spacing | 0.059" (1.50mm) |
Dimensione / Dimensione | 0.157" Dia (4.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.315" (8.00mm) |
Dimensione del terreno di montaggio superficiale | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial, Can |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
USR1E100MDD1TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | USR1E100MDD1TP-FT |
USW1H3R3MDD1TP
Nichicon
USW1H4R7MDD1TE
Nichicon
USW1H4R7MDD1TP
Nichicon
USW1V100MDD1TE
Nichicon
USW1V100MDD1TP
Nichicon
USW1V220MDD1TE
Nichicon
USW1V220MDD1TP
Nichicon
USW1V330MDD1TE
Nichicon
USW1V330MDD1TP
Nichicon
USW1V4R7MDD1TE
Nichicon
A3PN015-QNG68
Microsemi Corporation
EX256-FTQ100
Microsemi Corporation
A54SX32A-TQG176I
Microsemi Corporation
EP3C25F256I7N
Intel
10M50DCF256A7G
Intel
XA6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-1MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34I1SG
Intel
EP2AGX260FF35C5
Intel