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codice articolo del costruttore | USP1H010MDD1TE |
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Numero di parte futuro | FT-USP1H010MDD1TE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | USP |
USP1H010MDD1TE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Capacità | 1µF |
Tolleranza | ±20% |
Tensione: nominale | 50V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | - |
Lifetime @ Temp. | 2000 Hrs @ 85°C |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Polarizzazione | Bi-Polar |
Giudizi | - |
applicazioni | General Purpose |
Corrente di ondulazione @ Bassa frequenza | 10mA @ 120Hz |
Corrente di ondulazione @ alta frequenza | 15mA @ 10kHz |
Impedenza | - |
Lead Spacing | 0.059" (1.50mm) |
Dimensione / Dimensione | 0.157" Dia (4.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.315" (8.00mm) |
Dimensione del terreno di montaggio superficiale | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial, Can |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
USP1H010MDD1TE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | USP1H010MDD1TE-FT |
USR1A221MDD1TD
Nichicon
USR1V470MDD
Nichicon
USR1A221MDD
Nichicon
USR0J331MDD
Nichicon
USR0G331MDD1TA
Nichicon
USR0G471MDD1TA
Nichicon
USR0J331MDD1TA
Nichicon
USR1C221MDD1TA
Nichicon
USR1E101MDD1TA
Nichicon
USR1H330MDD1TA
Nichicon
XC3S100E-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL010-VFG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-PL68
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN060V2-VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE6F17C8N
Intel
5SGXMA4K1F35I2N
Intel
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
LFX200B-03F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation