casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / US1M-TP
codice articolo del costruttore | US1M-TP |
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Numero di parte futuro | FT-US1M-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
US1M-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 100ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US1M-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | US1M-TP-FT |
BAT46W-TP
Micro Commercial Co
SD103AW-TP
Micro Commercial Co
SD103CW-TP
Micro Commercial Co
MBR0520-TP
Micro Commercial Co
MBR0530-TP
Micro Commercial Co
BAT43W-TP
Micro Commercial Co
SD101AW-TP
Micro Commercial Co
MMSD914-TP
Micro Commercial Co
BAV21W-TP
Micro Commercial Co
MBR0540L-TP
Micro Commercial Co
XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
AT40K40AL-1EQC
Microchip Technology
EP3C25U256A7N
Intel
5SGSMD4E3H29I3N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC4003E-1PC84C
Xilinx Inc.
LFXP10C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-35EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780C3
Intel