casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / UPTB28E3/TR7
codice articolo del costruttore | UPTB28E3/TR7 |
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Numero di parte futuro | FT-UPTB28E3/TR7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UPTB28E3/TR7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 1 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 28V |
Voltage - Breakdown (Min) | 31V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 47.8V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 3.13A |
Potenza - Peak Pulse | 1000W (1kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-216AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | Powermite 1 (DO216-AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UPTB28E3/TR7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UPTB28E3/TR7-FT |
SMTY18AM
STMicroelectronics
UPT10/TR13
Microsemi Corporation
UPT10/TR7
Microsemi Corporation
UPT10E3/TR13
Microsemi Corporation
UPT10E3/TR7
Microsemi Corporation
UPT10R/TR13
Microsemi Corporation
UPT10R/TR7
Microsemi Corporation
UPT10RE3/TR13
Microsemi Corporation
UPT10RE3/TR7
Microsemi Corporation
UPT12/TR13
Microsemi Corporation
EPF6016ATC144-2
Intel
LFXP6E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S6-1FTGB196C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEABN1F45C2LN
Intel
5SGXEA5K2F35I2LN
Intel
XC6VLX75T-2FF784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000ZE-3MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6F23A7N
Intel
EPF10K30EQC208-2
Intel