casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / UPTB28E3/TR13
codice articolo del costruttore | UPTB28E3/TR13 |
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Numero di parte futuro | FT-UPTB28E3/TR13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UPTB28E3/TR13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 1 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 28V |
Voltage - Breakdown (Min) | 31V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 47.8V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 3.13A |
Potenza - Peak Pulse | 1000W (1kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-216AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | Powermite 1 (DO216-AA) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UPTB28E3/TR13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UPTB28E3/TR13-FT |
SM2T27A
STMicroelectronics
SMTY18AM
STMicroelectronics
UPT10/TR13
Microsemi Corporation
UPT10/TR7
Microsemi Corporation
UPT10E3/TR13
Microsemi Corporation
UPT10E3/TR7
Microsemi Corporation
UPT10R/TR13
Microsemi Corporation
UPT10R/TR7
Microsemi Corporation
UPT10RE3/TR13
Microsemi Corporation
UPT10RE3/TR7
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-2
Intel
XCV50E-8FG256C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484I
Microsemi Corporation
EP2C8F256C6N
Intel
10AX048H3F34E2SG
Intel
EP3SL110F1152I3
Intel
XC6VCX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC20E-3FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation