casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / UPA810T-T1
codice articolo del costruttore | UPA810T-T1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-UPA810T-T1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UPA810T-T1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Frequenza - Transizione | 4.5GHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | 1.2dB ~ 2.5dB @ 1GHz |
Guadagno | 7dB ~ 9dB |
Potenza - Max | 200mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 7mA, 3V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UPA810T-T1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UPA810T-T1-FT |
FPNH10
ON Semiconductor
KSC1393OBU
ON Semiconductor
KSC1393RBU
ON Semiconductor
KSC1393RTA
ON Semiconductor
KSC1393YBU
ON Semiconductor
KSC1674COBU
ON Semiconductor
KSC1674CYBU
ON Semiconductor
KSC1674OBU
ON Semiconductor
KSC1674RBU
ON Semiconductor
KSC1730OBU
ON Semiconductor
EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
XA2S200E-6FT256I
Xilinx Inc.
XC7K410T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
XC7A35T-3FGG484E
Xilinx Inc.
EP1M120F484C7ES
Intel
5SGXEA7K3F35C4N
Intel
XC7VX330T-2FFG1157C
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF1508C4N
Intel
EPF10K50VBC356-3N
Intel