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codice articolo del costruttore | UP4B-331-R |
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Numero di parte futuro | FT-UP4B-331-R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UNI-PAC™ |
UP4B-331-R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 330µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.1A |
Corrente - Saturazione | 2A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 580 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.870" L x 0.591" W (22.10mm x 15.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.310" (7.87mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UP4B-331-R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UP4B-331-R-FT |
DRA127-471-R
Eaton - Electronics Division
DRA127-681-R
Eaton - Electronics Division
DRA127-6R8-R
Eaton - Electronics Division
DRA127-820-R
Eaton - Electronics Division
DRA127-821-R
Eaton - Electronics Division
DRA127-8R2-R
Eaton - Electronics Division
DRA127-R47-R
Eaton - Electronics Division
DRA125-150-R
Eaton - Electronics Division
DRA125-330-R
Eaton - Electronics Division
DRA125-470-R
Eaton - Electronics Division
A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel