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codice articolo del costruttore | UP3B-331-R |
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Numero di parte futuro | FT-UP3B-331-R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UNI-PAC™ |
UP3B-331-R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 330µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 750mA |
Corrente - Saturazione | 980mA |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 733 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.760" L x 0.520" W (19.30mm x 13.21mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.268" (6.80mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UP3B-331-R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UP3B-331-R-FT |
DRA125-2R2-R
Eaton - Electronics Division
DRA125-331-R
Eaton - Electronics Division
DRA125-3R3-R
Eaton - Electronics Division
DRA125-471-R
Eaton - Electronics Division
DRA125-680-R
Eaton - Electronics Division
DRA125-681-R
Eaton - Electronics Division
DRA125-6R8-R
Eaton - Electronics Division
DRA125-820-R
Eaton - Electronics Division
DRA125-821-R
Eaton - Electronics Division
DRA125-R47-R
Eaton - Electronics Division
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel