casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / UP0431NG0L
codice articolo del costruttore | UP0431NG0L |
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Numero di parte futuro | FT-UP0431NG0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UP0431NG0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 150MHz, 80MHz |
Potenza - Max | 125mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSMini6-F2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UP0431NG0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UP0431NG0L-FT |
DMG963H10R
Panasonic Electronic Components
DMG963H50R
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DMC564040R
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XC3S1400AN-5FGG484C
Xilinx Inc.
A42MX36-BG272I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2N
Intel
10M16DCF256I6G
Intel
5SEEBH40I4N
Intel
EP4SGX530KH40C3N
Intel
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation