casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / UP01213G0L
codice articolo del costruttore | UP01213G0L |
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Numero di parte futuro | FT-UP01213G0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UP01213G0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
Potenza - Max | 125mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-665 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSMini5-F3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UP01213G0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UP01213G0L-FT |
DMG963HE0R
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DMC564040R
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XC3SD3400A-4CS484C
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XC3S200-4FTG256I
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A3P125-2PQG208I
Microsemi Corporation
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LFXP6E-3F256C
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