casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / UNR921NG0L
codice articolo del costruttore | UNR921NG0L |
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Numero di parte futuro | FT-UNR921NG0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UNR921NG0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
Potenza - Max | 125mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-89, SOT-490 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSMini3-F3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR921NG0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UNR921NG0L-FT |
DRA9114Y0L
Panasonic Electronic Components
DRA9115G0L
Panasonic Electronic Components
DRC9115T0L
Panasonic Electronic Components
DRC9124T0L
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DRC9124X0L
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DRA9114T0L
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DRA9115E0L
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DRA9144E0L
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DRC9114T0L
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DRC9114W0L
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A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX30CF23I7
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EP3CLS100F484I7N
Intel
5SGXMA4K3F40I3N
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EP3C5E144I7
Intel
XC6VHX380T-3FFG1155C
Xilinx Inc.
AGL060V5-CSG121I
Microsemi Corporation
LFXP6E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation