casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / UNR911EG0L
codice articolo del costruttore | UNR911EG0L |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-UNR911EG0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UNR911EG0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 80MHz |
Potenza - Max | 125mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-89, SOT-490 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSMini3-F3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR911EG0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UNR911EG0L-FT |
UNR9110G0L
Panasonic Electronic Components
UNR9113G0L
Panasonic Electronic Components
UNR9212G0L
Panasonic Electronic Components
UNR921MG0L
Panasonic Electronic Components
UNR92ANG0L
Panasonic Electronic Components
DRA5114T0L
Panasonic Electronic Components
DRA5114Y0L
Panasonic Electronic Components
DRA5115E0L
Panasonic Electronic Components
DRA5144E0L
Panasonic Electronic Components
DRC5114Y0L
Panasonic Electronic Components
XC3SD1800A-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FG456I
Xilinx Inc.
M2GL090S-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-85F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672C6
Intel
5SGSED6N2F45C2LN
Intel
XC7VX415T-3FFG1158E
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX150DF31C7N
Intel
EPF10K50SQC240-1
Intel