casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / UNR911BG0L
codice articolo del costruttore | UNR911BG0L |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-UNR911BG0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UNR911BG0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 80MHz |
Potenza - Max | 125mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-89, SOT-490 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSMini3-F3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR911BG0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UNR911BG0L-FT |
UNR52AFG0L
Panasonic Electronic Components
UNR52AVG0L
Panasonic Electronic Components
UNR9110G0L
Panasonic Electronic Components
UNR9113G0L
Panasonic Electronic Components
UNR9212G0L
Panasonic Electronic Components
UNR921MG0L
Panasonic Electronic Components
UNR92ANG0L
Panasonic Electronic Components
DRA5114T0L
Panasonic Electronic Components
DRA5114Y0L
Panasonic Electronic Components
DRA5115E0L
Panasonic Electronic Components
LCMXO2-1200HC-6TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A15T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FGG256I
Xilinx Inc.
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP3SL200F1517C3
Intel
XC6VHX380T-1FFG1924I
Xilinx Inc.
XC4VFX100-10FF1152I
Xilinx Inc.
A3P060-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation