casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / UNR5118G0L
codice articolo del costruttore | UNR5118G0L |
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Numero di parte futuro | FT-UNR5118G0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UNR5118G0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 510 Ohms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 5.1 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 80MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-85 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMini3-F2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR5118G0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UNR5118G0L-FT |
DRC9144G0L
Panasonic Electronic Components
DRC9144T0L
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DRC9144W0L
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DRA5144T0L
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DRA5143E0L
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XC3S1600E-4FGG400I
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XC3S400-4FT256I
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XC2S15-5VQG100C
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A3PE3000-1FG484I
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M1A3P250-2PQ208
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5SGXEA4K2F40C3N
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5SGXEB6R2F43C2LN
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A54SX32A-1TQG100I
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LFE2-50SE-6FN672C
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