casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / UNR511800L
codice articolo del costruttore | UNR511800L |
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Numero di parte futuro | FT-UNR511800L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UNR511800L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 510 Ohms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 5.1 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 80MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMini3-G1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR511800L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UNR511800L-FT |
DTC314TKT146
Rohm Semiconductor
DTC363EKT146
Rohm Semiconductor
DTC363TKT146
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DTC614TKT146
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DTD122JKT146
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UP0KG8D00L
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DRA9143X0L
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DRA9114Y0L
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XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
APA450-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F672C7
Intel
EP4CGX30CF23I7N
Intel
10CX105YU484I6G
Intel
5SGSMD3E2H29I2N
Intel
10AX027H4F34E3SG
Intel
5SGXEB9R1H43C2N
Intel
LCMXO2-2000UHC-5FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel