casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / UNR5113G0L
codice articolo del costruttore | UNR5113G0L |
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Numero di parte futuro | FT-UNR5113G0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UNR5113G0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 80MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-85 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMini3-F2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR5113G0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UNR5113G0L-FT |
DRC9115G0L
Panasonic Electronic Components
DRC9123E0L
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DRC9124E0L
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DRC9143T0L
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DRC9144G0L
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DRC9144T0L
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DRC9144W0L
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XC5206-6PQ100C
Xilinx Inc.
XC3SD3400A-5FGG676C
Xilinx Inc.
M2GL025-1VFG256I
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C70F672C8N
Intel
10CX150YF672I6G
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XC2VP30-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EQC240-2X
Intel